دانشگاه آزاد اسلامی

واحد تهران جنوب

دانشکده تحصیلات تکمیلی

سمینار برای درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – الکترونیک

عنوان :

بررسی مشخصه های الکتریکی DG-SOI MOSFETS

یک مطلب دیگر :

استاد راهنما :

دکتر مرتضی فتحی پور

نگارش :

فطمه کهنی خشکبیجاری

چکیده :
در این سمینار مشخصه هایDG-SOI MOSFETS   در جهت بهینه سازی عملکرد این
ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است . برای بهینه سازی از روش تغییر ابعاد
ترانزیستورها و کاهش ولتاژ تغذیه استفاده شده است . مزایای نحوه به کارگیری در
مدار و ساختار های مختلف افزاره ماسفت در گیتی سیلیکان برروی عایق
DG-SOI MOSFETS مورد بررسی قرار گرفته است . ماسفت دو گیتی به عنوان افزاره
مناسب و ناحیه زیر آستانه به عنوان مناسب ترین ناحیه برای کاربردهای توان پایین
معرفی شده اند اثرات تغییر پارامترهای ساختاری برروی مشخصات الکتریکی افزاره
نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه با استفاده از شبیه سازی در نرم
افزار ISE-TCAD مورد بررسی قرار گرفته است . شبیه سازی های انجام شده نشان
می دهد که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن
موثر گیت می شود در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره کاهش می یابد .این امر
ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر ضخامت بدنه می باشد .با کاهش طول
نواحی سورس و درین خازن های لبه ای کوچک می گردند و در نتیجه CG,EFF کاهش